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文章泉源 : 广东太阳GG检测 揭晓时间：2023-02-16 浏览数目：
随着电子元器件的生长 ，静电放电（Electro Static Discharge）对器件可靠性的危害愈发显著 。一方面 ，超大规模集成电路的生长 ，使得器件尺寸进一步缩小 ，器件对静电变得越发敏感 。
有统计批注 ，在由静电放电爆发的使用失效中 ，潜在性失效约90% ，而突发性失效仅占10% 。潜在性失效比突发性失效具有更大的危害 ，一方面是由于潜在性失效难以检测 ，在器件制造时受到的潜在静电损伤会影响使用时的寿命 ，而器件在装配历程中受到的潜在静电损伤会影响它装入整机后的使用寿命；另外 ，静电损伤具有积累性 ，纵然一次静电放电未能让器件失效 ，多次静电损伤累积起来最终必定使器件完全失效 。
器件内部结构的差别 ，会令器件具有差别的静电放电破损电压规模 。
部分器件的静电破损电压区间：
| 种种晶体 | 静电破损电压(Volts) |
CMOS(import protected) | 250~3000 |
VMOS | 30~1800 |
MOSFET | 100~200 |
GaaSFET | 100~300 |
EPROM | 100 |
JFET | 140~7200 |
SAW | 150~500 |
在器件的早期设计阶段 ，引入对耐静电放电能力的验证 ，显得尤其主要 。
现在关于器件的耐静电放电能力的验证测试 ，一样平常参考MIL-STD、JEDEC、AEC-Q等标准 ， 下表中枚举静电测试模子与对应的测试标准 。
下表中枚举静电测试模子与对应的测试标准 。
| IC ESD 参考标准 | MIL-STD | JEDEC | AEC-Q | Other |
| HBM (Human Body Mode) | MIL-STD-883 | JS-001 2017 | AEC-Q100-002 | - |
| MM(Machine Mode) | - | JESD22-C115 | AEC-Q100-003 | - |
| SCDM(Socket CDM) | - | - | - | ANSI/ESD SP5.3.2 |
| CDM(Non-Socket) | - | JS002-2018 | AEC-Q-100-011 | EIA/ESDA-5.3.1 |
| Latch-Up 参考标准 | MIL-STD | JEDEC | AEC Q | Other |
| Room Temp. Test | - | JESD-78 | - | - |
| High Temp. Test | - | JESD-78 | AEC-Q100-004 | - |
| System ESD 参考标准 | MIL-STD | JEDEC | AEC Q | Other |
| HBM(Human Body Mode) | - | - | AEC-Q200-002 | IEC61000-4-2 |
太阳GG检测认证是专业第三方电子元器件检测机构 ，具备了HBM、MM、Latch-Up、CDM周全测试能力 ，可提供电子元器件ESD测试效劳 。
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