×
0769-82327388
文章泉源 : 广东太阳GG检测 揭晓时间：2023-06-09 浏览数目：
高温反偏试验是模拟器件在静态或稳态事情模式下，以最高反偏电压或指定反偏电压举行事情，以研究偏置条件和温度随时间对器件的寿命模拟。甚至一些厂商还会将其作为一筛或二筛的焦点试验。
分立器件的高温反偏主要接纳的试验标准有MIL-STD-750 要领1038、JESD22-A108、GJB 128A-1997 要领1038、AEC-Q101表2 B1项等。
种种标准从试验温度、反偏电压电参数测试均做出了明确的界说，而试验要领、原理均差别不大，其中，以车规的要求最为严苛，在模拟最高结温事情状态下，100%的反偏电压下运行1000h。
关于SiC功率器件而言，其最大额定结温普遍在175℃以上，而反偏电压已凌驾650V，更高的温度、更强的电场加速钝化层中可移动离子或杂质的扩散迁徙，从而提前发明器件异常，较洪流平地验证器件的可靠性。
| 标准 | 试验温度 | 试验电压 | 试验时长 |
| MIL-STD-750-1 M1038 | 150℃ | 80%×BV | 160小时 以上 |
| AEC-Q101 | Tjmax （175℃） | 100%×BV | 1000小时 以上 |
Si基的二极管高温泄电流一样平常在1~100μA，而SiC二极管高温反偏试验历程泄电流通常较量小，为0.1~10μA级别。若是器件保存缺陷，泄电还会随着时间的推移而逐渐上升。这需要有实时的、较高精度的泄电监控系统，提供整个试验周期泄电流的监控数据以视察器件的试验状态。
高温反偏试验主要考察器件的质料、结构、封装可靠性，可反应出器件边沿终端、钝化层、键合（interconnect）等结构的弱点或退化效应。
因此，功率器件是否能通过高温反偏试验，应从产品设计阶段思量危害，综合考量电场、高温对证料、结构、钝化层的老化影响。以现实应用情形因素要求一体化管控质料选型、结构搭建设计，提升良品率。
太阳GG检测拥有完整的车规级功率半导体AEC-Q101认证能力，可针对差别产品定制高温反偏试验，同时为大泄电流产品提供高温反偏下结温丈量计划，资助多个客户获得相关可靠性认证报告。
获取报价
若是您对我司的产品或效劳有任何意见或者建议，您可以通过这个渠道给予我们反响。您的留言我们会尽快回复！
0769-82327388
微信订阅号
微信咨询
